• SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW
SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW

SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: SMBT3946DW1T1G

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: NPN, PNP Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 200 мА
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 40V Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Мощность - Макс: 150mW

Характер продукции

SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW
 
Спецификации SMBT3946DW1T1G

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Биполярные транзисторные массивы
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN, PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 40 В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Ток - предел коллектора (макс.) -
Приобретение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1В
Мощность - Макс 150 мВт
Частота - переходный период 300 МГц, 250 МГц
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет изделий поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Номер базовой продукции SMBT3946

 
Особенностииз
SMBT3946DW1T1G

• hFE, 100−300
• Низкий ВЦЭ (sat), ≤ 0,4 В
• Упрощает проектирование микросхемы
• Уменьшает пространство на доске
• Уменьшает количество компонентов
• S Префикс для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к изменению места и управления; AEC-Q101 Квалифицирован и способен к PPAP
• Эти устройства свободны от Pb, галогенов / BFR и соответствуют требованиям RoHS.
 
Описание 
SMBT3946DW1T1G


Устройство MBT3946DW1T1G является производным продуктом нашего популярного трехволоконного устройства SOT−23/SOT−323.
 
Классификация экологических и экспортных товаровизN25Q064A13ESE40F
 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW 0 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно SMBT3946DW1T1G Биполярный транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.