DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3
Подробная информация о продукте:
Место происхождения: | первоначальный |
Фирменное наименование: | Original |
Сертификация: | Original |
Номер модели: | DTD123ECT116 |
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: | 1 |
---|---|
Цена: | negotiation |
Упаковывая детали: | Коробка коробки |
Время доставки: | дни 1-3working |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 100 000 |
Подробная информация |
|||
Тип транзистора: | NPN - Пре-пристрастное | Настоящий - сборник (Ic) (Макс): | 500 мам |
---|---|---|---|
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): | 50V | Рабочая температура: | -40°C | 85°C |
Резистор - основание (R1): | 2,2 kOhms | Тип SMounting: | Поверхностный держатель |
Высокий свет: | DTD123ECT116 Биполярный транзистор,Биполярный транзистор 50 В 500 мА,200 мВт для поверхностного монтажа SST3 |
Характер продукции
DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт SST3 для поверхностного монтажа
ТИП
|
ОПИСАНИЕ
|
---|---|
Категория
|
Дискретные полупроводниковые продукты
Транзисторы
Биполярный (БЯТ)
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
|
производитель
|
РОМ
|
Ряд
|
-
|
Статус продукта
|
Активный
|
Тип транзистора
|
NPN — Предварительно предвзятый
|
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
|
500 мА
|
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)
|
50 В
|
Резистор - база (R1)
|
2,2 кОм
|
Резистор — база эмиттера (R2)
|
2,2 кОм
|
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
|
39 при 50 мА, 5 В
|
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic
|
300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
|
Ток — отсечка коллектора (макс.)
|
500 нА
|
Частота – переход
|
200 МГц
|
Мощность - Макс.
|
200 мВт
|
Тип крепления
|
Поверхностное крепление
|
Пакет/кейс
|
ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
|
Пакет устройств поставщика
|
SST3
|
Базовый номер продукта
|
DTD123
|
Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
---|---|
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченно) |
ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.21.0075 |
ФункцииDTD123ECT116
1) Встроенные резисторы смещения позволяют настроить схему инвертора без подключения внешних
Внешние входные резисторы.(см. эквивалентную схему)
2) Резистор смещения состоит из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией для обеспечения отрицательного смещения входа.у них также есть
Преимущество почти полного устранения паразитных эффектов.
3) Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что упрощает проектирование устройства.