• DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3
DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3

DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: Original
Сертификация: Original
Номер модели: DTD123ECT116

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: NPN - Пре-пристрастное Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 500 мам
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 50V Рабочая температура: -40°C | 85°C
Резистор - основание (R1): 2,2 kOhms Тип SMounting: Поверхностный держатель
Высокий свет:

DTD123ECT116 Биполярный транзистор

,

Биполярный транзистор 50 В 500 мА

,

200 мВт для поверхностного монтажа SST3

Характер продукции

DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт SST3 для поверхностного монтажа

 

Атрибуты продуктаDTD123ECT116
ТИП
ОПИСАНИЕ
Категория
Дискретные полупроводниковые продукты
Транзисторы
Биполярный (БЯТ)
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
производитель
РОМ
Ряд
-
Статус продукта
Активный
Тип транзистора
NPN — Предварительно предвзятый
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
500 мА
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)
50 В
Резистор - база (R1)
2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2)
2,2 кОм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
39 при 50 мА, 5 В
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic
300 мВ при 2,5 мА, 50 мА
Ток — отсечка коллектора (макс.)
500 нА
Частота – переход
200 МГц
Мощность - Макс.
200 мВт
Тип крепления
Поверхностное крепление
Пакет/кейс
ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Пакет устройств поставщика
SST3
Базовый номер продукта
DTD123

 

Экологические и экспортные классификации

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075

 

ФункцииDTD123ECT116

 

1) Встроенные резисторы смещения позволяют настроить схему инвертора без подключения внешних
Внешние входные резисторы.(см. эквивалентную схему)
2) Резистор смещения состоит из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией для обеспечения отрицательного смещения входа.у них также есть
Преимущество почти полного устранения паразитных эффектов.
3) Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что упрощает проектирование устройства.

 

DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно DTD123ECT116 Биполярный транзистор 50 В 500 мА 200 МГц 200 мВт для поверхностного монтажа SST3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.