• Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИС Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1 650В
Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИС Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1 650В

Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИС Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1 650В

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: F450R07W1H3B11ABOMA1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Mfr: Технологии Infineon Серия: EasyPACK™
Пакет: Поднос Состояние продукта: Активный
Тип БТИЗ: Остановка траншейного поля Конфигурация: Полный инвертор моста
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 650V Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 55 a
Высокий свет:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

IC Chip Igbt Modules

,

650V интегральная схема IC Chip

Характер продукции

Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИК Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1

 

Модуль IGBT Траншейный полевой стоп Мостовой инвертор 650 В 55 А 200 Вт Модуль для монтажа на шасси

 

Технические характеристики F450R07W1H3B11ABOMA1

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Дискретные полупроводниковые продукты
Транзисторы
БТИЗ
БТИЗ-модули
производитель Инфинеон Технологии
Ряд EasyPACK™
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Остановка траншейного поля
Конфигурация Полномостовой инвертор
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 55 А
Мощность - Макс. 200 Вт
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic 1,85 В при 15 В, 25 А
Ток — отсечка коллектора (макс.) 50 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 3,25 нФ при 25 В
Вход Стандарт
Термистор NTC Да
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления Крепление шасси
Пакет/кейс Модуль
Пакет устройств поставщика Модуль
Базовый номер продукта F450R07

 

ОсобенностиF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Увеличено блокирующее напряжение до 650 В.
• Быстродействующий БТИЗ H3
• Конструкция с низкой индуктивностью
• Низкие коммутационные потери
• Низкая VCEsat
• 2,5 кВ переменного тока, 1 мин Изоляция
• Большие расстояния утечки и воздушные зазоры
• Контактная технология PressFIT
• Соответствует RoHS
• Надежный монтаж благодаря встроенному креплению
зажимы

 

ПрименениеF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Автомобильные приложения
• Применение высокочастотного переключения
• Преобразователь постоянного/постоянного тока
• Вспомогательные инверторы
• Гибридные электромобили (H)EV
• Индуктивный нагрев и сварка
 

Экологические и экспортные классификацииF450R07W1H3B11ABOMA1

 
АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
 

Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИС Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1 650В 0



 

 

 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Модули Игбт микросхемы интегральной схемы ИС Ф450Р07В1Х3Б11АБОМА1 650В не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.