• SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3
SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3

SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: SI2308CDS-T1-GE3

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип FET: N-канал Технологии: MOSFET (металлическая окись)
Напряжение отхода к источнику (Vdss): 60 В Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 2.6А (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 4.5В, 10В Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144 мОм @ 1,9 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id: 3V @ 250µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 4 nC @ 10 В
Высокий свет:

SOT-23-3 N-канальный MOSFET

,

SI2308CDS-T1-GE3 N-канальный MOSFET

,

Поверхностный монтаж N-канального MOSFET

Характер продукции

SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3
 
Спецификации SI2308CDS-T1-GE3

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр Вишай Силиконикс
Серия TrenchFET® Gen IV
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 60 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 2.6А (Tc)
Напряжение привода (максимальное RDS включено, минимальное RDS включено) 4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144 мОм @ 1,9 А, 10 В
Vgs(th) (Max) @ Id 3В @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 4 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 30 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 1.6W (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / чемодан TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер базовой продукции SI2308

 

Особенности SI2308CDS-T1-GE3


• TrenchFET® Gen IV мощность MOSFET
• 100% Rg проверено

 

 

Применение SI2308CDS-T1-GE3


• переключатель батареи
• преобразователь постоянного тока и постоянного тока
• переключатель нагрузки

 


Экологические и экспортные классификацииSI2308CDS-T1-GE3
 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно SI2308CDS-T1-GE3 N-Channel MOSFET 60 V 2.6A 1.6W Поверхностная установка SOT-23-3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.