 |
IPD80R900P7ATMA1 электронный IC откалывает MOSFET IC n CH 800V 6A TO252-3
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | первоначальный |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | IPD80R900P7ATMA1 |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Коробка коробки |
| Время доставки: | дни 1-3working |
| Условия оплаты: | T/T, L/C |
| Поставка способности: | 100 000 |
|
Подробная информация |
|||
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: | 350 pF @ 500 v | Особенность FET: | - |
|---|---|---|---|
| Диссипация силы (Макс): | 45W (Tc) | Рабочая температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип: | Поверхностный держатель | Пакет прибора поставщика: | PG-TO252-3 |
| Пакет/случай: | TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63 | Низкопробный номер продукта: | IPD80R900 |
| Высокий свет: | IPD80R900P7ATMA1,MOSFET IC N CH 800V 6A,MOSFET IC 800V 6A TO252-3 |
||
Характер продукции
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 МОДУЛЯ IPD60N10S4L-12 БЕСПРОВОДНОЙ RF
Mosfet N-Ch 800v 6a To252-3 модуля Ipd80r900p7atma1 беспроводной Rf
Держатель PG-TO252-3 поверхности v 6A N-канала 800 (Tc) 45W (Tc)
Спецификации IPD80R900P7ATMA1
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Дискретные продукты полупроводника |
| Транзисторы | |
| FETs, MOSFETs | |
| Одиночные FETs, MOSFETs | |
| Mfr | Технологии Infineon |
| Серия | CoolMOS™ P7 |
| Пакет | Лента & вьюрок (TR) |
| Раскроенная лента (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Состояние продукта | Активный |
| Тип FET | N-канал |
| Технология | MOSFET (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 800 v |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 10V |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 3.5V @ 110µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 15 nC @ 10 v |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 350 pF @ 500 v |
| Особенность FET | - |
| Диссипация силы (Макс) | 45W (Tc) |
| Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
| Пакет прибора поставщика | PG-TO252-3 |
| Пакет/случай | TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63 |
| Низкопробный номер продукта | IPD80R900 |
Особенности IPD80R900P7ATMA1
•Лучш-в-classFOMRDS (дальше) *Eoss; reducedQg, Ciss, andCoss
•Лучш-в-classDPAKRDS (дальше)
•Лучш-в-classV (GS) thof3VandsmallestV (GS) thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
Применения IPD80R900P7ATMA1
•Лучш-в-classperformance
•Enablinghigherpowerdensitydesigns, assemblycosts BOMsavingsandlower
•Easytodriveandtoparallel
•BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns
Классификации экологических & экспорта IPD80R900P7ATMA1
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Состояние RoHS | ROHS3 уступчивое |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (неограниченный) |
| Состояние ДОСТИГАЕМОСТИ | ДОСТИГНИТЕ без изменений |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте