• NVTFS4C13NWFTAG N-Channel MOSFET 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN
NVTFS4C13NWFTAG N-Channel MOSFET 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN

NVTFS4C13NWFTAG N-Channel MOSFET 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: NVTFS4C13NWFTAG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Технологии: MOSFET (металлическая окись) Напряжение отхода к источнику (Vdss): 30 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 14A (животики) Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (макс.) @ Id: 2.1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 В Vgs (макс.): ± 20 В
Высокий свет:

NVTFS4C13NWFTAG N-канальный MOSFET

,

8-WDFN N-канальный MOSFET

,

NVTFS4C13NWFTAG

Характер продукции

NVTFS4C13NWFTAG N-Channel 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN
 
Спецификации NVTFS4C13NWFTAG

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр на полу
Серия Автомобиль, AEC-Q101
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 30 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 14А (Ta)
Напряжение привода (максимальное RDS включено, минимальное RDS включено) 4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4 мОм @ 30А, 10В
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1В @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 15.2 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 3 Вт (Ta), 26 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
Пакет / чемодан 8-PowerWDFN
Номер базовой продукции NVTFS4

 

Особенности NVTFS4C13NWFTAG


• Низкий RDS (включен) для минимизации потерь проводника
• Низкая пропускная способность для минимизации потерь водителей
• Оптимизированная зарядка шлюза для минимизации потерь переключения
• NVTFS4C13NWF − Продукт с влажными боками
• Префикс NVT для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к изменению площадки и управления; AEC-Q101 квалифицирован и способен к PPAP
• Эти устройства свободны от Pb−, галогена/BFR и соответствуют требованиям RoHS.

 


Экологические и экспортные классификацииNVTFS4C13NWFTAG

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
NVTFS4C13NWFTAG N-Channel MOSFET 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN 0


 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно NVTFS4C13NWFTAG N-Channel MOSFET 30 V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Поверхностная установка 8-WDFN не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.