• NTHS5404T1G N-Channel MOSFET 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) поверхностная установка ChipFETTM
NTHS5404T1G N-Channel MOSFET 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) поверхностная установка ChipFETTM

NTHS5404T1G N-Channel MOSFET 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) поверхностная установка ChipFETTM

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: NT1пограничный транспорт

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип FET: N-канал Напряжение отхода к источнику (Vdss): 20 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 5.2А (Ta) Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4,5В Vgs(th) (макс.) @ Id: 600mV @ 250μA (мин)
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 18 nC @ 4,5 v Vgs (макс.): ±12В
Высокий свет:

NTHS5404T1G N-канальный MOSFET

,

Поверхностный монтаж N-канального MOSFET

,

N-канальный MOSFET 20 V 5.2A

Характер продукции

NSVT45010MW6T1G Биполярный транзистор массив 2 PNP (двойной) 45V 100mA 100MHz 380mW
 
Спецификации NT1пограничный транспорт

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 20 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 5.2А (Ta)
Напряжение привода (максимальное RDS включено, минимальное RDS включено) 2.5В, 4.5В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.2A, 4,5В
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250μA (мин)
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 4,5 В
Vgs (макс.) ± 12 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 1.3W (Ta)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика ChipFETTM
Пакет / чемодан 8-SMD, плоский свинец
Номер базовой продукции NTHS5404

 

Особенности NT1пограничный транспорт


• Низкий RDS ((on) для повышения эффективности
• Двигатель логического уровня
• Миниатюрный ChipFET поверхностный монтаж пакета экономит пространство на панели
• Доступен пакет без Pb−

 

 

 

Описание NT1пограничный транспорт


• Управление энергопотреблением в портативных и батарейных продуктах, т.е. сотовых и беспроводных телефонах и картах PCMCIA

 

 


Экологические и экспортные классификацииNT1пограничный транспорт

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
NTHS5404T1G N-Channel MOSFET 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) поверхностная установка ChipFETTM 0


 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно NTHS5404T1G N-Channel MOSFET 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) поверхностная установка ChipFETTM не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.