 |
IS42S16800F-6TL SDRAM Память IC 128Mbit Параллельная 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Оригинальное |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | ИС42С16800Ф-6ТЛ |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Картонная коробка |
| Время доставки: | 1-3 рабочих дня |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 100,000 |
|
Подробная информация |
|||
| Пакет: | Поднос | Тип памяти: | Летучие |
|---|---|---|---|
| Формат памяти: | DRAM | Размер памяти: | 128Mbit |
| Организация памяти: | 8М х 16 | Интерфейс памяти: | Параллельно |
| Частота работы часов: | 166 МГц | ||
Характер продукции
IS42S16800F-6TL SDRAM Память IC 128Mbit Параллельно 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Спецификации IS42S16800F-6TL
| Тип | Описание |
| Категория | Интегрированные схемы (IC) |
| Память | |
| Память | |
| Мфр | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Серия | - |
| Пакет | Поднос |
| Тип памяти | Летучие |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM |
| Размер памяти | 128 Мбит |
| Организация памяти | 8м х 16м |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Частота работы часов | 166 МГц |
| Напишите время цикла - слово, страница | - |
| Время доступа | 5.4 нс |
| Напряжение - питание | 3V ~ 3,6V |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 54-TSOP (0,400", ширина 10,16 мм) |
| Пакет изделий поставщика | 54-ТСОП II |
| Номер базовой продукции | IS42S16800 |
Особенности IS42S16800F-6TL
• Частота работы: 200, 166, 143 МГц
• Полностью синхронный; все сигналы ссылаются на положительный край часов
• Внутренний банк для доступа в прямые ряды/предварительного зарядки
• Силовое питание Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3.3В 3.3В
-IS42/45S16800F 3.3В 3.3В
• интерфейс LVTTL
• Программируемая длина взрыва
️ (1, 2, 4, 8, полная страница)
• Программируемая последовательность взрывов: последовательность/промежуток
• Автоматическое обновление (CBR)
• Освободите себя
• 4096 циклов обновления каждые 16 мс (класс A2) или 64 мс (коммерческий, промышленный, класс A1)
• Случайный адрес столбца в каждом цикле часов
• Программируемая задержка CAS (2, 3 часа)
• Возможность быстрого чтения/записи и однократного чтения/записи
• Прекращение взрыва с помощью команды "стоп" и "предзарядка"
• Температурные диапазоны:
- Коммерческие (0°C до +70°C)
- Промышленный (от -40 до +85 °С)
- Автомобиль, A1 (-40°C до +85°C)
- Автомобиль, A2 (-40°C до +105°C)
ОписаниеIS42S16800F-6TL
128 Мб SDRAM - это высокоскоростная CMOS, динамическая память с случайным доступом, предназначенная для работы в 3,3-вольтных Vdd и 3,3-вольтных Vddq системах памяти, содержащих 134,217728 бит.
Экологические и экспортные классификацииIS42S16800F-6TL
| АТРИБУТ | Описание |
| Статус RoHS | Соответствует требованиям ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH Не затрагивается |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
