• ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 микросхемы памяти OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC
ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 микросхемы памяти OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC

ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 микросхемы памяти OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: TLV9152QDGKRQ1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Состояние продукта: Активный Тип усилителя: Общее назначение
Количество цепей: 2 Тип выхода: Рельс-к-рельс
Тариф ряда: 20V/µs Продукт ширины полосы частот увеличения: 4,5 MHz
Настоящий - смещение входного сигнала: PA 10 Напряжение тока - смещение входного сигнала: µV 125
Высокий свет:

TLV9152QDGKRQ1

,

ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 OPAMP

,

Микросхема памяти 8VSSOP EMMC

Характер продукции

Цепь 8vssop Gp 2 Ic Opamp Gp 2 микросхемы памяти TLV9152QDGKRQ1 Emmc
 
Двухконтурный усилитель общего назначения Rail-to-Rail 8-VSSOP

 

Технические характеристикиTLV9152QDGKRQ1

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Интегральные схемы (ИС)
Линейный
Усилители
Инструментарий, операционные усилители, буферные усилители
производитель Инструменты Техаса
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q100
Упаковка Лента и катушка (TR)
Разрезать ленту (CT)
Digi-Reel®
Статус продукта Активный
Тип усилителя Общее назначение
Количество цепей 2
Тип выхода Железнодорожный транспорт
Скорость нарастания 20 В/мкс
Увеличение пропускной способности продукта 4,5 МГц
Ток — входное смещение 10 пА
Напряжение - смещение входа 125 мкВ
Текущий - Поставка 560 мкА (x2 канала)
Ток - выход/канал 75 мА
Напряжение - Диапазон питания (мин.) 2,7 В
Напряжение - диапазон питания (макс.) 16 В
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (ТА)
Тип крепления Поверхностное крепление
Пакет/кейс 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", ширина 3,00 мм)
Пакет устройств поставщика 8-ВССОП

 

ОсобенностиTLV9152QDGKRQ1

 

• AEC-Q100 сертифицирован для автомобильного применения
– Температурный класс 1: от –40°C до +125°C, TA
– Уровень классификации HBM ESD устройства 3A
– Уровень классификации устройства CDM ESD C6
• Низкое напряжение смещения: ±125 мкВ
• Низкий дрейф напряжения смещения: ±0,3 мкВ/°C
• Низкий уровень шума: 10,8 нВ/√Гц при 1 кГц
• Высокое подавление синфазного сигнала: 120 дБ
• Низкий ток смещения: ±10 пА
• Железнодорожный вход и выход
• Широкая полоса пропускания: 4,5 МГц GBW
• Высокая скорость нарастания: 21 В/мкс
• Низкий ток покоя: 560 мкА на усилитель
• Широкое питание: от ±1,35 В до ±8 В, от 2,7 В до 16 В
• Надежная работа EMIRR: фильтры EMI/RFI на входных контактах
 

Приложения изTLV9152QDGKRQ1

 

• Оптимизирован для приложений AEC-Q100 класса 1
• Информационно-развлекательная система и кластер
• Пассивная безопасность
• Кузовная электроника и освещение
• Инвертор HEV/EV и управление двигателем
• Встроенное (OBC) и беспроводное зарядное устройство
• Датчик тока трансмиссии
• Усовершенствованные системы помощи водителю (ADAS)
• Измерение тока на стороне высокого и низкого уровня

 

Экологические и экспортные классификацииTLV9152QDGKRQ1

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.33.0001

ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 микросхемы памяти OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC 0

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно ЦЕПЬ 8VSSOP GP 2 микросхемы памяти OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.