MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L Память IC 2Gbit Параллельная 800 MHz 13,75 нс

Характер продукции

MT41K128M16JT-125 AAT:K SDRAM - DDR3L Память IC 2Gbit Параллельная 800 MHz 13,75 нс
 
Спецификации MT41K128M16JT-125 AAT:K

 
ОсобенностиMT41K128M16JT-125 AAT:K

• VDD = VDDQ = 1,35 В (1,283 ≈ 1,45 В)
• Обратная совместимость с VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Дифференциальная двунаправленная данная
• 8n-битная архитектура предварительного поиска
• Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
• 8 внутренних банков
• Номинальное и динамическое завершение (ODT) для сигналов данных, светодиодов и масок
• Программируемая задержка CAS (READ) (CL)
• Программируемая загруженная CAS аддитивная латентность (AL)
• Программируемая задержка CAS (WRITE) (CWL)
• фиксированная длина взрыва (BL) 8 и взрыв (BC) 4 (через режим регистра набор [MRS])
• Избираемый BC4 или BL8 на лету (OTF)
• Режим самообновления
• Обновление максимального интервала времени в диапазоне температуры TC
64 мс при температуре от 40 до +85°С
32 мс при температуре от +85 до +105°С
16 мс при температуре от +105°C до +115°C
8 мс при +115°C до +125°C
• Температура самообновления (SRT)
• Автоматическое обновление (ASR)
• Напишите выравнивание
• Многоцелевой регистр

ОписаниеMT41K128M16JT-125 AAT:K

Устройство 1.35V DDR3L SDRAM является низковольтной версией устройства 1.5V DDR3 SDRAM. При работе в 1.5V совместимом режиме см. спецификации листов данных DDR3 (1.5V) SDRAM.

Экологические и экспортные классификацииMT41K128M16JT-125 AAT:K