• DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
  • DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: DTD113EK T146

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: ПНП - предвзятое Частота - переход: 250 МГц
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 50 В Резистор - основание (R1): kOhms 1
Резистор - основание излучателя (R2): kOhms 1 Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5В
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250μA, 5mA Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 500nA

Характер продукции

DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
 
Спецификации DTD113EK T146

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Однополые биполярные транзисторы с предварительным уклоном
Мфр Полупроводники Rohm
Серия Автомобиль, AEC-Q101
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип транзистора NPN - предвзятое
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 50 В
Резистор - основа (R1) 1 кОм
Резистор - база излучателя (R2) 1 кОм
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ @ 2,5 мА, 50 мА
Ток - предел коллектора (макс.) 500nA
Частота - переходный период 200 МГц
Мощность - Макс 200 мВт
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет изделий поставщика SMT3
Номер базовой продукции DTD113

 
Особенности DTD113EK T146


1) Встроенные резисторы предвзятости, R1 = R2 = 1 кВт.
2) Встроенные резисторы предвзятости позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения внешних входных резисторов (см. Внутренняя схема).
3) Резисторы предвзятости состоят из тонкопленочных резисторов с полной изоляцией, чтобы позволить отрицательное предвзятое
Они также имеют преимущество в том, что полностью устраняют паразитические эффекты.
4) Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что облегчает проектирование цепи.
5) Дополнительные типы ПНП: серия DTB113EK
6) Без свинца/соответствует требованиям RoHS.

 

 

 

Применение DTD113EK T146

 

Схема переключения, схема инвертора, схема интерфейса, схема драйвера

 


Экологические и экспортные классификацииDTD113EK T146

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 0
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно DTD113EK T146 Биполярный транзистор с предварительной предвзятостью 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.