• DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3
DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3

DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: ДТА114ЕМТ2Л

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: ПНП - предвзятое Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 50 мам
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 50V Резистор - основание (R1): 10 kOhms
Резистор - основание излучателя (R2): 10 kOhms Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5В

Характер продукции

DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3
 

Спецификации DTA114EMT2L

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Однополые биполярные транзисторы с предварительным уклоном
Мфр Полупроводники Rohm
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип транзистора ПНП - предвзятое
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 50 В
Резистор - основа (R1) 10 кОм
Резистор - база излучателя (R2) 10 кОм
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Ток - предел коллектора (макс.) 500nA
Частота - переходный период 250 МГц
Мощность - Макс 150 мВт
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан SOT-723
Пакет изделий поставщика VMT3
Номер базовой продукции DTA114
   

 
Особенности DTA114EMT2L


1) Встроенные резисторы предвзятости, R1 = R2 = 10kΩ
2) Встроенные резисторы предвзятости позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения внешних входных резисторов (см. Внутренняя схема).
3) Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что облегчает проектирование цепи.
4) Дополнительные типы НПН: серия DTC114E

 

 

Применение DTA114EMT2L


Инвертор, интерфейс, драйвер

 


Экологические и экспортные классификацииDTA114EMT2L

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3 0
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно DTA114EMT2L Биполярный транзистор 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Поверхностная установка VMT3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.