• 2SC5566-TD-E BJT IC Биполярный транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP
2SC5566-TD-E BJT IC Биполярный транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP

2SC5566-TD-E BJT IC Биполярный транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: 2SC5566-TD-E

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 0.166666667 Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 50 В
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: 225 мВ @ 100 мА, 2А Настоящий - выключение сборника (Макс): 1μA (ICBO)
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2 В Мощность - Макс: 1,3 w
Частота - переход: 400 МГц Операционная температура: 150°C (TJ)
Высокий свет:

2SC5566-TD-E

,

2SC5566-TD-E BJT IC

,

Биполярный транзистор BJT

Характер продукции

2SC5566-TD-E Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP поверхностного монтажа

 

Спецификации 2SC5566-TD-E

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Однополые биполярные транзисторы
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип транзистора НПН
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 0.166666667
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 50 В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 225 мВ @ 100 мА, 2А
Ток - предел коллектора (макс.) 1μA (ICBO)
Приобретение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2 В
Мощность - Макс 1.3 Вт
Частота - переходный период 400 МГц
Операционная температура 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан TO-243AA
Пакет изделий поставщика PCP
Номер базовой продукции 2SC5566

 

Спецификации2SC5566-TD-E


• Принятие FBET и MBIT процессов
• Большая мощность тока
• Низкое напряжение насыщения от коллектора к излучателю
• Высокоскоростное переключение
• Ультранебольшая упаковка облегчает миниатюризацию в конечных продуктах
• Высокое допустимое рассеивание энергии

 

Особенности2SC5566-TD-E


• Релевые приводы, ламповые приводы, моторные приводы, флеш

 

 

 

Экологические и экспортные классификации2SC5566-TD-E

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

 

2SC5566-TD-E BJT IC Биполярный транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно 2SC5566-TD-E BJT IC Биполярный транзистор NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W PCP не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.