• IPP320N20N3GXKSA N-Channel MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3
IPP320N20N3GXKSA N-Channel MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3

IPP320N20N3GXKSA N-Channel MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IPP320N20N3GXKSA

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 200 В Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id: 4V @ 90µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 29 nC @ 10 В
Vgs (макс.): ± 20 В Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 2350 pF @ 100 В
Высокий свет:

IPP320N20N3GXKSA

,

IPP320N20N3GXKSA MOSFET IC

,

N-канальный MOSFET IC

Характер продукции

IPP320N20N3GXKSA N-канал 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3

 

Спецификации IPP320N20N3GXKSA

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр Infineon Technologies
Серия OptiMOSTM
Пакет Трубка
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 200 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 34A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 4В @ 90μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 136 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Через дыру
Пакет изделий поставщика PG-TO220-3
Пакет / чемодан TO-220-3
Номер базовой продукции IPP320

 

СпецификацииIPP320N20N3GXKSA


• N-канал, нормальный уровень
• Отличная стоимость входа x R DS ((on) продукт (FOM)
• Очень низкое сопротивление R DS ((on)
• рабочая температура 175 °C
• Свинцовое покрытие без Pb; соответствует требованиям RoHS
• Квалифицирован по JEDEC1) для целевого применения
• Без галогена согласно IEC61249-2-21
• Идеально подходит для высокочастотного переключения и синхронной ректификации

 

 

Экологические и экспортные классификацииIPP320N20N3GXKSA

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

IPP320N20N3GXKSA N-Channel MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3 0

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IPP320N20N3GXKSA N-Channel MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) через отверстие PG-TO220-3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.