• IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM
IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM

IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IS42S16320F-7TLI

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Размер памяти: 4.5 Мбит Организация памяти: 128K x 36
Интерфейс памяти: Параллельно Номер базовой продукции: IS64LF12836
Частота работы часов: 117 MHz Время доступа: 7,5 ns
Напряжение - питание: 3.135V ~ 3.465V Операционная температура: -40 °C ~ 125 °C (TA)

Характер продукции

IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM

 

Спецификации IS64LF12836EC-7.5B3LA3

 

Тип Описание
Категория Интегрированные схемы (IC)
  Память
  Память
Мфр ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Пакет Поднос
Тип памяти Летучие
Формат памяти SRAM
Технологии SRAM - синхронный, SDR
Размер памяти 4.5 Мбит
Организация памяти 128K x 36
Интерфейс памяти Параллельно
Частота работы часов 117 МГц
Напишите время цикла - слово, страница -
Время доступа 7.5 нс
Напряжение - питание 3.135V ~ 3.465V
Операционная температура -40 °C ~ 125 °C (TA)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 165-TBGA
Пакет изделий поставщика 165-TFBGA (13х15)
Номер базовой продукции IS64LF12836

 

Спецификации IS64LF12836EC-7.5B3LA3


* Внутренний цикл записи
* Контроль записи по отдельным байтам и глобальная запись
* Управляемый часом, зарегистрированный адрес, данные и управление
* Управление последовательностью взрывов с помощью ввода MODE
* Три чипа включить опцию для простого расширения глубины и адрес трубопроводов
* Общие входы и выходы данных
* Автоматическое отключение во время отбора
* Отключить однократный цикл
* Режим снотворного для режима ожидания с пониженной мощностью
* JEDEC 100-прикольный QFP, 165-колесный BGA и 119-колесный BGA пакеты
* Источник питания:
* LF: VDD 3.3V (± 5%), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)
* VF: VDD 2,5V (± 5%), VDDQ 2,5V (± 5%)
* JTAG Boundary Scan для пакетов BGA
* Поддержка температуры в промышленности и автомобилестроении
* Доступно без свинца
* Выявление и исправление ошибок

 

 

Применение IS64LF12836EC-7.5B3LA3


Семейство продуктов 4 Мб оснащено высокоскоростной, маломощной синхронной статической оперативной памятью, предназначенной для обеспечения взрывоспособной, высокопроизводительной памяти для коммуникационных и сетевых приложений.

 

 

Окружающая средаЭкспортные классификации IS64LF12836EC-7.5B3LA3

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

 

IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IS42S16320F-7TLI SRAM Синхронная память SDR IC 4,5 Мбит Параллельная 117 MHSRAM не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.