 |
NAND512W3A2SN6E FLASH - IC памяти NAND 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Оригинал |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | NAND512W3A2SN6E |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Картонная коробка. |
| Время доставки: | 3-5 дней |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 1000 |
|
Подробная информация |
|||
| Тип памяти: | Слаболетучий | Формат памяти: | ВСПЫШКА |
|---|---|---|---|
| Технологии: | ВСПЫШКА - NAND | Размер запоминающего устройства: | 512Mbit |
| Организация памяти: | 64M x 8 | Интерфейс памяти: | Параллельно |
| Напишите время цикла - слово, страницу: | 50ns | Время выборки: | 50 ns |
| Напряжение - питание: | 2.7V ~ 3.6V | Операционная температура: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
Характер продукции
NAND512W3A2SN6E FLASH - IC памяти NAND 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
СпецификацииNAND512W3A2SN6E
| Тип | Описание |
| Категория | Память |
| Мфр | Микрон Технологии Инк. |
| Серия | - |
| Пакет | Поднос |
| Тип памяти | Нелетающие |
| Формат памяти | ФЛАСШ |
| Технологии | Flash - NAND |
| Размер памяти | 512 Мбит |
| Организация памяти | 64м х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Напишите время цикла - слово, страница | 50 нс |
| Время доступа | 50 нс |
| Напряжение - питание | 2.7V ~ 3.6V |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет / чемодан | 48-TFSOP (0,724", 18,40 мм в ширину) |
| Пакет изделий поставщика | 48-TSOP |
| Номер базовой продукции | NAND512 |
Экологические и экспортные классификацииNAND512W3A2SN6E
| АТРИБУТ | Описание |
| Статус RoHS | Соответствует требованиям ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH Не затрагивается |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте