• IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IS46TR16256AL-125KBLA2

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип памяти: Волатилец Формат памяти: ДРАХМА
Технологии: SDRAM - DDR3L Размер запоминающего устройства: 4Gbit
Организация памяти: 256M x 16 Интерфейс памяти: Параллельно
Тактовая частота: 800 МГц Напишите время цикла - слово, страницу: 15ns
Время выборки: 20 нс
Высокий свет:

IS46TR16256AL-125KBLA2

,

IC памяти SDRAM DDR3L

,

IC памяти 800 МГц

Характер продукции

  IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 ns 96-TWBGA

 

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

 

Спецификации IS46TR16256AL-125KBLA2

 

Тип Описание
Категория Интегрированные схемы (IC)
Память
Мфр ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Серия -
Пакет Поднос
Статус продукта Старый
Тип памяти Летучие
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - DDR3L
Размер памяти 4 Гбит
Организация памяти 256м х 16м
Интерфейс памяти Параллельно
Частота работы часов 800 МГц
Напишите время цикла - слово, страница 15 нс
Время доступа 20 нс
Напряжение - питание 1.283V ~ 1.45V
Операционная температура -40°C ~ 105°C (TC)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан 96-TFBGA
Пакет изделий поставщика 96-TWBGA (9х13)
Номер базовой продукции ИС46ТР16256

 
Особенностииз
IS46TR16256AL-125KBLA2


* Стандартное напряжение: VDD и VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Низкое напряжение (L): VDD и VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Обратно совместимая с 1,5 В
* Высокоскоростные скорости передачи данных с частотой системы до 1066 МГц
* 8 внутренних банков для одновременной работы
* Архитектура 8n-битного предварительного поиска
* Программируемая задержка CAS
* Программируемая аддитивная задержка: 0, CL-1, CL-2
* Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
* Программируемая длина взрыва: 4 и 8
* Программируемая последовательность взрывов: последовательная или интерлевная
* BL переключатель на лету
* Автоматическое обновление (ASR)
* Самообновляемая температура (SRT)
* Интервал обновления:
- 7,8 US (8192 цикла/ 64 ms) Tc= -40°C до 85°C
- 3,9 с (8192 цикла/32 мс) Tc= 85°C до 105°C
* Частичный массив самообновление
* Асинхронный кнопку RESET
* Поддерживается TDQS (Termination Data Strobe) (только x8)
* OCD (регулирование импеданса драйвера вне чипа)
* Динамическая ODT (окончательное действие)
* Сила драйвера: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Написать выравнивание
* До 200 МГц в режиме выключения DLL
* Рабочая температура:
- Коммерческие (TC = от 0°C до +95°C)
- Промышленный (TC = -40°C до +95°C)
- Автомобильное производство, A1 (TC = -40°C до +95°C)
- Автомобильное производство, A2 (TC = -40°C до +105°C)

 

 

ЗаявленияизIS46TR16256AL-125KBLA2


Конфигурация:
- 512Mx8
- 256 Мх16
Пакет:
- 96 шаров BGA (9мм х 13мм) для x16
- 78-кулевой BGA (9мм х 10,5мм) для x8

 

 

Экологические и экспортные классификацииIS46TR16256AL-125KBLA2

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0036

 

IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA 0

 

  
 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Память IC 4Gbit Параллельный 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.