• IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: Is43dr16640b-25dbli-Tr

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Время цикла записи — Word, страница: 15ns Время выборки: 400 ps
Напряжение тока - поставка: 1.7V | 1.9V Рабочая температура: -40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
Устанавливать тип: Поверхностный держатель Пакет/случай: 84-TFBGA
Пакет прибора поставщика: 84-TWBGA (8x12.5) Низкопробный номер продукта: IS43DR16640
Высокий свет:

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM

,

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

,

DRAM IC 1GBIT PARALLEL 84TWBGA

Характер продукции

Is25lp040e-Jnle-Tr Беспроводной радиочастотный модуль Ic Flash 4 Мбит Spi/Quad 8soic

Is43dr16640b-25dbli-Tr Беспроводной радиочастотный модуль Ic Dram 1 Гбит Параллельный 84twbga

SDRAM — микросхема памяти DDR2 1 Гбит, параллельная, 400 МГц, 400 пс, 84-TWBGA (8x12,5)

 

Технические характеристики Ис43др16640б-25дбли-Тр

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Интегральные схемы (ИС)
Память
Память
производитель ISSI, интегрированное кремниевое решение Inc.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Не для новых дизайнов
Программируемый цифровой ключ Не подтверждено
Тип памяти Летучий
Формат памяти ДРАМ
Технологии SDRAM - DDR2
Объем памяти 1 Гбит
Организация памяти 64М х 16
Интерфейс памяти Параллельно
Тактовая частота 400 МГц
Время цикла записи — Word, страница 15 нс
Время доступа 400 пс
Напряжение - питание 1,7 В ~ 1,9 В
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (ТА)
Тип крепления Поверхностное крепление
Пакет/кейс 84-ТФБГА
Пакет устройств поставщика 84-ТВБГА (8x12,5)
Базовый номер продукта ИС43ДР16640

 

ОсобенностиИс43др16640б-25дбли-Тр

 

 Тактовая частота до 400 МГц
 8 внутренних банков для параллельной работы
 4-битная архитектура предварительной выборки
 Программируемая задержка CAS: 3, 4, 5, 6 и 7
 Программируемая дополнительная задержка: 0, 1, 2, 3, 4,5и 6
 Задержка записи = Задержка чтения-1
 Программируемая последовательность пакетов: последовательная илиЧередование
 Программируемая длина пакета: 4 и 8
 Автоматическая и контролируемая команда предварительной зарядки
 Режим отключения питания
 Автообновление и самообновление
 Интервал обновления: 7,8 мкс (8192 цикла/64 мс)
 ODT (терминация на кристалле)
 Вариант драйвера вывода данных слабой прочности
 Двунаправленный дифференциальный строб данных(Одиночный строб данных является дополнительной функцией)
 Встроенная DLL выравнивает переходы DQ и DQsсСК переходы
 DQS# можно отключить для несимметричных данных.стробоскоп
 Поддерживается строб чтения данных (только x8)
 Дифференциальные тактовые входы CK и CK#
 VDD и VDDQ = 1,8 В ± 0,1 В
 PASR (частичное самообновление массива)
 

ПриложенияизИс43др16640б-25дбли-Тр

 Интерфейс SSTL_18
 поддерживается блокировка tRAS
 Рабочая температура:Коммерческий (TA = от 0°C до 70°C; TC = от 0°C до85°С)Промышленный (TA = от -40°C до 85°C; TC = -40°Cдо 95°С)Автомобильная промышленность, A1 (TA = от -40°C до 85°C; TC = -40°C).°С до 95°С)Автомобильная промышленность, A2 (TA = от -40°C до 105°C; TC = -40°C).°C до105°С)
 

Экологические и экспортные классификацииИс43др16640б-25дбли-Тр

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.32.0032
 

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 0

 

 

 

 

 

 

 



 

 

 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.