• Ipd60r1k0ceauma1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Ipd60r1k0ceauma1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Ipd60r1k0ceauma1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IPD60R1K0CEAUMA1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 3170 pF @ 25 v Особенность FET: -
Диссипация силы (Макс): 94W (Tc) Рабочая температура: -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип: Поверхностный держатель Пакет прибора поставщика: PG-TO252-3-313
Пакет/случай: TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63 Низкопробный номер продукта: IPD60N10

Характер продукции

IPD60N10S4L-12 БЕСПРОВОДНОЙ РЧ-МОДУЛЬ MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

 

N-канальный 100 В 60 A (Tc) 94 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TO252-3-313

 

Технические характеристикиIPD60R1K0CEAUMA1

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Дискретные полупроводниковые продукты
Транзисторы
полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель Инфинеон Технологии
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Разрезать ленту (CT)
Digi-Reel®
Статус продукта Активный
Тип полевого транзистора N-канал
Технологии МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) 4,5 В, 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 мОм при 60 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id 2,1 В при 46 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 49 нКл при 10 В
VGS (макс.) ±16В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3170 пФ при 25 В
Полевой транзистор -
Рассеиваемая мощность (макс.) 94 Вт (Тс)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика ПГ-ТО252-3-313
Пакет/кейс ТО-252-3, ДПак (2 отвода + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ИПД60Н10

 

ОсобенностиIPD60R1K0CEAUMA1

 

• N-канальный — режим улучшения
• Аттестован AEC
• MSL1 пиковое оплавление до 260°C
• Рабочая температура 175°C
• Экологичный продукт (соответствует RoHS)
• 100% лавинное тестирование
 

ПриложенияизIPD60R1K0CEAUMA1

 

Для получения дополнительной информации о технологии, доставкеусловия и цены, обращайтесьближайший офис Infineon Technologies (www.
infineon.com).
 

Экологические и экспортные классификацииIPD60R1K0CEAUMA1

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095

 

Ipd60r1k0ceauma1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 0

 

 

 

 



 

 

 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно Ipd60r1k0ceauma1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.