• BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: BSC900N20NS3GATMA1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Состояние продукта: Активный Тип FET: N-Channelxer
Технология: MOSFET (металлическая окись) Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 200 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): 10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Id Vgs (th) (Макс) @: 4V @ 30µA

Характер продукции

BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
 

N-канальный 200 В 15,2 A (Tc) 62,5 Вт (Tc) Монтаж на поверхность PG-TDSON-8-5

 

Технические характеристикиБСК900Н20НС3ГАТМА1

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Дискретные полупроводниковые продукты
Транзисторы
полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель Инфинеон Технологии
Ряд OptiMOS™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Разрезать ленту (CT)
Digi-Reel®
Статус продукта Активный
Тип полевого транзистора N-канал
Технологии МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 15,2 А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 мОм при 7,6 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id 4 В при 30 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 11,6 нКл при 10 В
VGS (макс.) ±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 920 пФ при 100 В
Полевой транзистор -
Рассеиваемая мощность (макс.) 62,5 Вт (Тс)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика ПГ-ТДСОН-8-5
Пакет/кейс 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта BSC900

 

ОсобенностиБСК900Н20НС3ГАТМА1

 

• Оптимизирован для преобразования постоянного тока в постоянный
• N-канальный, нормальный уровень
• Отличный заряд затвора x R DS(on) product (FOM)
• Низкое сопротивление во включенном состоянии R DS(on)
• Рабочая температура 150 °C
• бессвинцовое покрытие;Соответствует RoHS
• Квалифицирован согласно JEDEC1) для целевого применения
• Без галогенов согласно IEC61249-2-21

 

Информация оБСК900Н20НС3ГАТМА1

 

Для получения дополнительной информации о технологии, условиях поставки и ценах обращайтесь в ближайший офис Infineon Technologies (www.infineon.com).

 

Экологические и экспортные классификацииБСК900Н20НС3ГАТМА1

 

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 0



 

 

 

 

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно BSC900N20NS3GATMA1 Беспроводной радиочастотный модуль Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.