• BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5
BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: BSC900N20NS3G

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 200 В Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id: 4V @ 30µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 В
Vgs (макс.): ± 20 В Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 920 pF @ 100 В
Высокий свет:

BSC900N20NS3G

,

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC

Характер продукции

BSC900N20NS3G N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5

 

СпецификацииBSC900N20NS3G

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр Infineon Technologies
Серия OptiMOSTM
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 200 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 15.2А (Tc)
Напряжение привода (максимальное RDS включено, минимальное RDS включено) 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7,6A, 10В
Vgs(th) (Max) @ Id 4В @ 30μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 11.6 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 62.5W (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика PG-TDSON-8-5
Пакет / чемодан 8-PowerTDFN
Номер базовой продукции BSC900

 
Особенности BSC900N20NS3G


• Оптимизирован для преобразования постоянного тока в постоянный ток
• N-канал, нормальный уровень
• Отличная стоимость входа x R DS ((on) продукт (FOM)
• Низкое сопротивление R DS (включено)
• рабочая температура 150 °C
• Свинцовое покрытие без Pb; соответствует требованиям RoHS
• Квалифицирован по JEDEC1 для целевого применения
• Без галогена согласно IEC61249-2-21

 

 

Экологические и экспортные классификацииBSC900N20NS3G

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Поверхностная установка PG-TDSON-8-5 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.