• IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2
IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2

IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IPB64N25S3-20

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип FET: N-канал Технологии: MOSFET (металлическая окись)
Напряжение отхода к источнику (Vdss): 250 v Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id: 4В @ 270μA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Высокий свет:

IPB64N25S3-20

,

IPB64N25S3-20 MOSFET IC

,

N-канальный MOSFET IC

Характер продукции

IPB64N25S3-20 N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Наземная установка PG-TO263-3-2

 

Спецификации IPB64N25S3-20

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр Infineon Technologies
Серия OptiMOSTM
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 250 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 4В @ 270μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 7000 пФ @ 25 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 300 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика PG-TO263-3-2
Пакет / чемодан TO-263-3, D2Pak (2 лиды + Таб), TO-263AB
Номер базовой продукции IPB64N25

 
Особенности IPB64N25S3-20


• N-канал - режим усиления
• Квалификация AEC
• MSL1 до 260°C пиковый рефлюкс
• рабочая температура 175°C
 

 


 
Применение IPB64N25S3-20

 

• Зеленый продукт (соответствует требованиям RoHS)
• 100% Avalanche проверенный

 

 

Экологические и экспортные классификацииIPB64N25S3-20

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

 IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IPB64N25S3-20 N-Channel MOSFET IC 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Поверхностная установка PG-TO263-3-2 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.