• MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW
MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: MMBT2907ALT1G

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: PNP Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 600 мам
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 60 В Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Настоящий - выключение сборника (Макс): 10nA (ICBO) Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс: 300 мВт Частота - переход: 200 МГц

Характер продукции

MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW


Спецификации MMBT2907ALT1G

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Однополые биполярные транзисторы
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип транзистора ПНП
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 600 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 60 В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 10,6В @ 50mA, 500mA
Ток - предел коллектора (макс.) 10nA (ICBO)
Приобретение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10В
Мощность - Макс 300 мВт
Частота - переходный период 200 МГц
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет изделий поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Номер базовой продукции MMBT2907

 
Особенности MMBT2907ALT1G


• Префикс S для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к изменению места и управления;

AEC-Q101 Квалифицирован и способен на PPAP
• Эти устройства свободны от Pb−, галогена/BFR и соответствуют требованиям RoHS.
 
ПрименениеMMBT2907ALT1G


2F = код устройства
M = Код даты*
* Дата Код ориентация и/или верхняя строка
варьируются в зависимости от места производства.
 
Окружающая средаЭкспортные классификации 
MMBT2907ALT1G
 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно MMBT2907ALT1G Биполярный транзистор PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.