 |
SQM120N06-3M5L-GE3 Поверхностная установка Ic N Канал 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) TO-263
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Оригинальный |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | SQM120N06-3M5L-GE3 |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Картонная коробка |
| Время доставки: | 1-3 рабочих дня |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 100,000 |
|
Подробная информация |
|||
| Напряжение отхода к источнику (Vdss): | 60 В | Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: | 120А (Тс) |
|---|---|---|---|
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): | 4.5В, 10В | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30,5 мОм @ 29А, 10 В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 330 nC @ 10 В |
| Vgs (макс.): | ± 20 В | Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: | 14700 pF @ 25 В |
| Высокий свет: | SQM120N06-3M5L-GE3 поверхностная установка,TO-263 - поверхностная установка |
||
Характер продукции
SQM120N06-3M5L-GE3 N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Наземная установка TO-263
СпецификацииSQM120N06-3M5L-GE3
| Тип | Описание |
| Категория | Дискретные полупроводниковые изделия |
| Транзисторы | |
| FET, MOSFET | |
| Одиночные FET, MOSFET | |
| Мфр | Вишай Силиконикс |
| Серия | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Пакет | Лента и катушка (TR) |
| Режущая лента (КТ) | |
| Тип FET | N-канал |
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 60 В |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 4.5В, 10В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30,5 мОм @ 29А, 10 В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5В @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 330 nC @ 10 В |
| Vgs (макс.) | ± 20 В |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 14700 pF @ 25 В |
| Функция FET | - |
| Рассеивание энергии (макс.) | 375W (Tc) |
| Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет изделий поставщика | TO-263 |
| Пакет / чемодан | TO-263-3, D2Pak (2 лиды + Таб), TO-263AB |
| Номер базовой продукции | SQM120 |
Особенности SQM120N06-3M5L-GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Пакет с низкой теплостойкостью
• Квалификация AEC-Q101
• 100% Rg и UIS проверены
Окружающая средаЭкспортные классификации SQM120N06-3M5L-GE3
| АТРИБУТ | Описание |
| Статус RoHS | Соответствует требованиям ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченный) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте