• SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: SQJ858AEP-T1_GE3

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 40 В Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 4.5В, 10В Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id: 2.5V @ 250µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 55 nC @ 10 v
Vgs (макс.): ± 20 В Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 2450 pF @ 20 В
Высокий свет:

SQJ858AEP-T1_GE3 смд

,

40 Вт

Характер продукции

SQJ858AEP-T1_GE3 N-канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Наземная установка PowerPAK® SO-8


СпецификацииSQJ858AEP-T1_GE3

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр Вишай Силиконикс
Серия Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 40 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 14A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.5В @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 20 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 48 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика PowerPAK® SO-8
Пакет / чемодан PowerPAK® SO-8
Номер базовой продукции SQJ858

 

Особенности SQJ858AEP-T1_GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Квалифицированный
• 100% Rg и UIS проверены

 


Окружающая средаЭкспортные классификации SQJ858AEP-T1_GE3
 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.