SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
Подробная информация о продукте:
Место происхождения: | Оригинальный |
Фирменное наименование: | original |
Сертификация: | original |
Номер модели: | SQJ858AEP-T1_GE3 |
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: | 1 |
---|---|
Цена: | negotiation |
Упаковывая детали: | Картонная коробка |
Время доставки: | 1-3 рабочих дня |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 100,000 |
Подробная информация |
|||
Напряжение отхода к источнику (Vdss): | 40 В | Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: | 58A (Tc) |
---|---|---|---|
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): | 4.5В, 10В | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 55 nC @ 10 v |
Vgs (макс.): | ± 20 В | Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: | 2450 pF @ 20 В |
Высокий свет: | SQJ858AEP-T1_GE3 смд,40 Вт |
Характер продукции
SQJ858AEP-T1_GE3 N-канал 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Наземная установка PowerPAK® SO-8
СпецификацииSQJ858AEP-T1_GE3
Тип | Описание |
Категория | Дискретные полупроводниковые изделия |
Транзисторы | |
FET, MOSFET | |
Одиночные FET, MOSFET | |
Мфр | Вишай Силиконикс |
Серия | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® |
Пакет | Лента и катушка (TR) |
Режущая лента (КТ) | |
Тип FET | N-канал |
Технологии | MOSFET (оксид металла) |
Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 40 В |
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 4.5В, 10В |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 14A, 10В |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5В @ 250μA |
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 В |
Vgs (макс.) | ± 20 В |
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 20 В |
Функция FET | - |
Рассеивание энергии (макс.) | 48 Вт (Tc) |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Поверхностный монтаж |
Пакет изделий поставщика | PowerPAK® SO-8 |
Пакет / чемодан | PowerPAK® SO-8 |
Номер базовой продукции | SQJ858 |
Особенности SQJ858AEP-T1_GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Квалифицированный
• 100% Rg и UIS проверены
Окружающая средаЭкспортные классификации SQJ858AEP-T1_GE3
АТРИБУТ | Описание |
Статус RoHS | Соответствует требованиям ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченный) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте