 |
SIA427DJ-T1-GE3 P-канал 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | Оригинальное |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | SIA427DJ-T1-GE3 |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Картонная коробка |
| Время доставки: | 3-5 дней |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 1000 |
|
Подробная информация |
|||
| Технологии: | MOSFET (металлическая окись) | Напряжение отхода к источнику (Vdss): | 8 v |
|---|---|---|---|
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: | 12A (Tc) | Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): | 1.2В, 4.5В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16mOhm @ 8,2A, 4,5 В | Vgs(th) (макс.) @ Id: | 800mV @ 250μA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 50 nC @ 5 В | Vgs (макс.): | ±5В |
Характер продукции
SIA427DJ-T1-GE3 Чип интегральной схемы P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
СпецификацииSIA427DJ-T1-GE3
| Тип | Описание |
| Категория | Дискретные полупроводниковые изделия |
| Транзисторы | |
| FET, MOSFET | |
| Одиночные FET, MOSFET | |
| Мфр | Вишай Силиконикс |
| Серия | TrenchFET® |
| Пакет | Лента и катушка (TR) |
| Режущая лента (КТ) | |
| Тип FET | П-канал |
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 8 В |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 1.2В, 4.5В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8,2A, 4,5 В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 5 В |
| Vgs (макс.) | ±5В |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 В |
| Функция FET | - |
| Рассеивание энергии (макс.) | 3.5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc) |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет изделий поставщика | PowerPAK® SC-70-6 |
| Пакет / чемодан | PowerPAK® SC-70-6 |
| Номер базовой продукции | SIA427 |
ОсобенностиSIA427DJ-T1-GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Новый тепловой пакет PowerPAK® SC-70
- Небольшая площадь
- Низкое сопротивление
• 100% Rg Испытано
ПрименениеSIA427DJ-T1-GE3
• переключатель нагрузки для линии питания 1,2 В для портативных и портативных устройств
Экологические и экспортные классификацииSIA427DJ-T1-GE3
| АТРИБУТ | Описание |
| Статус RoHS | Соответствует требованиям ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченный) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте