M95010-WMN6TP Диод для телевизоров Smd Ic Eeprom 1 кбит Spi 20 МГц 8soic 497-8672-1-Nd
Подробная информация о продукте:
Место происхождения: | первоначальный |
Фирменное наименование: | original |
Сертификация: | original |
Номер модели: | M95010-WMN6TP |
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: | 1 |
---|---|
Цена: | negotiation |
Упаковывая детали: | Коробка коробки |
Время доставки: | дни 1-3working |
Условия оплаты: | T/T, L/C |
Поставка способности: | 100 000 |
Подробная информация |
|||
Состояние продукта: | Активный | Digi-ключ Programmable: | Подтверженный |
---|---|---|---|
Тип памяти: | Слаболетучий | Формат памяти: | EEPROM |
Технология: | EEPROM | Размер запоминающего устройства: | 1Kbit |
Организация памяти: | 128 х 8 | Интерфейс памяти: | SPI |
Характер продукции
M95010-WMN6TP Диод для телевизоров Smd Ic Eeprom 1 кбит Spi 20 МГц 8soic 497-8672-1-Nd
ИС памяти EEPROM 1 Кбит SPI 20 МГц 8-SOIC
Технические характеристикиM95010-WMN6TP
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Категория | Интегральные схемы (ИС) |
Память | |
Память | |
производитель | STMicroelectronics |
Ряд | - |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Разрезать ленту (CT) | |
Digi-Reel® | |
Статус продукта | Активный |
Программируемый цифровой ключ | проверено |
Тип памяти | Энергонезависимый |
Формат памяти | ЭСППЗУ |
Технологии | ЭСППЗУ |
Объем памяти | 1Кбит |
Организация памяти | 128 х 8 |
Интерфейс памяти | СПИ |
Тактовая частота | 20 МГц |
Время цикла записи — Word, страница | 5 мс |
Напряжение - питание | 2,5 В ~ 5,5 В |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (ТА) |
Тип крепления | Поверхностное крепление |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0,154 дюйма, ширина 3,90 мм) |
Пакет устройств поставщика | 8-СОИК |
Базовый номер продукта | M95010 |
ОсобенностиM95010-WMN6TP
• Совместимость с шиной последовательного периферийного интерфейса (SPI)
• Массив памяти
– 1/2/4-Кбит (128/256/512 байт) EEPROM
– Размер страницы: 16 байт
– Дополнительная страница с возможностью записи (идентификационная страница) для кода заказа M95040-DF
• Писать
– Запись байта в течение 5 мс
– Запись страницы в течение 5 мс
• Защита от записи
- квартальный массив
- полумассив
- весь массив памяти
• Максимальная тактовая частота: 20 МГц
• Одиночное напряжение питания:
– от 2,5 В до 5,5 В для M950x0-W
– от 1,8 В до 5,5 В для M950x0-R
– от 1,7 В до 5,5 В для M95040-DF
• Диапазон рабочих температур: от -40°С до +85°С
• Улучшенная защита от электростатических разрядов
• Более 4 миллионов циклов записи
• Срок хранения данных более 200 лет.
• Комплектация Соответствует RoHS и не содержит галогенов.
– SO8N (ЭКОПАК2)
– ЦСОП8 (ЭКОПАК2)
– UFDFPN8 (ЭКОПАК2)
Выключить изM95010-WMN6TP
Во время отключения питания (непрерывное снижение напряжения питания VCC ниже минимального рабочего напряжения VCC, определенного в Таблице 8, Таблице 9 и Таблице 10) устройство должно быть:
• не выбран (выбор микросхемы S должен соответствовать напряжению, приложенному к VCC)
• в режиме ожидания (не должно выполняться никакого внутреннего цикла записи)
Экологические и экспортные классификацииM95010-WMN6TP
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченно) |
ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8542.32.0051 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте