• CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Поверхностная установка 3-CPH
CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Поверхностная установка 3-CPH

CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Поверхностная установка 3-CPH

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: CPH3362-TL-W

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 100 В Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 700mA (животики)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10,7 Омм @ 700 мА, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id: 2.6В @ 1mA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 В
Vgs (макс.): ± 20 В Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 142 pF @ 20 В
Высокий свет:

CPH3362-TL-W

,

CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC

Характер продукции

CPH3362-TL-W P-канал 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Наземная установка 3-CPH

 

СпецификацииCPH3362-TL-W

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  FET, MOSFET
  Одиночные FET, MOSFET
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип FET П-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 100 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
Напряжение привода (максимальное RDS включено, минимальное RDS включено) 4В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10,7 Омм @ 700 мА, 10 В
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6В @ 1mA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 3.7 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 142 pF @ 20 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 1 Вт (Ta)
Операционная температура 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика 3-CPH
Пакет / чемодан TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер базовой продукции CPH3362

 
Особенности CPH3362-TL-W


* Резистенция RDS при включении (при включении) 1=1,3Ω (тип) 
* Соответствие без галогена
* Привод 4В

 

 

Экологические и экспортные классификацииCPH3362-TL-W

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Поверхностная установка 3-CPH 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Поверхностная установка 3-CPH не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.