• BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3
BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинальное
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: BC858ALT1G

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: картонная коробка
Время доставки: 1-3 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 100,000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип транзистора: PNP Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 100 мам
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 30 В Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic: 650 мВ @ 5 мА, 100 мА
Настоящий - выключение сборника (Макс): 15nA (ICBO) Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5В
Мощность - Макс: 300 мВт Частота - переход: 100 МГц
Высокий свет:

BC858ALT1G

,

BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT

Характер продукции

BC858ALT1G Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

 

СпецификацииBC858ALT1G

 

Тип Описание
Категория Дискретные полупроводниковые изделия
  Транзисторы
  Биполярный (BJT)
  Однополые биполярные транзисторы
Мфр на полу
Серия -
Пакет Лента и катушка (TR)
  Режущая лента (КТ)
Тип транзистора ПНП
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100 мА
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) 30 В
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic 650 мВ @ 5 мА, 100 мА
Ток - предел коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5В
Мощность - Макс 300 мВт
Частота - переходный период 100 МГц
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет изделий поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Номер базовой продукции BC858

 
Особенности BC858ALT1G


• Префикс S и NSV для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к изменению места и управления;

AEC-Q101 Квалифицирован и способен на PPAP
• Эти устройства свободны от Pb−, галогена/BFR и соответствуют требованиям RoHS.

 

 

 

Применение BC858ALT1G


xx = код устройства
xx = (см. страницу 6)
M = Код даты*
= Пакет без Pb

 

 

 

Экологические и экспортные классификацииBC858ALT1G

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно BC858ALT1G Биполярный транзистор BJT PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3 не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.