• IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak

IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: IRFR3710ZTRPBF

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка.
Время доставки: 3-5 дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 1000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип FET: N-канал Технологии: MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 100 В Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 42A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): 10 В Rds на (Макс) @ id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10В
Id Vgs (th) (Макс) @: 4V @ 250µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 100 nC @ 10 v
Vgs (Макс): ±20V Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 2930 pF @ 25 В
Высокий свет:

IRFR3710ZTRPBF

,

IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты

,

100 В 42 А N-канальный MOSFET

Характер продукции

IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
 
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
 
СпецификацииIRFR3710ZTRPBF

 

Тип Описание
Категория Одиночные FET, MOSFET
Мфр Infineon Technologies
Серия HEXFET®
Пакет Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 100 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 4В @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 25 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 140 Вт (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика Д-Пак
Пакет / чемодан TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Номер базовой продукции IRFR3710

 

ОсобенностиIRFR3710ZTRPBF


* Передовые технологические процессы
* Ультра низкое сопротивление
* 175°C Операционная температура
* Быстрое переключение
* Повторяющаяся лавина Допускается до Tjmax
* Некоторые варианты пакета
* Без свинца

 

 

Применение IRFR3710ZTRPBF


Этот HEXFET® Power MOSFET использует новейшие методы обработки, чтобы достичь чрезвычайно низкого сопротивления на кремний.Дополнительными особенностями этой конструкции являются 175°C температуры работы разъемаЭти характеристики объединяются, чтобы сделать эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.

 


Экологические и экспортные классификацииIRFR3710ZTRPBF

 

АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
Статус REACH REACH Не затрагивается
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak 0

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно IRFR3710ZTRPBF Электронные компоненты N-Channel MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.