• SIR426DP-T1-GE3 N-Channel MOSFETs 40 V 30A 4,8W 41,7W Поверхностная установка
SIR426DP-T1-GE3 N-Channel MOSFETs 40 V 30A 4,8W 41,7W Поверхностная установка

SIR426DP-T1-GE3 N-Channel MOSFETs 40 V 30A 4,8W 41,7W Поверхностная установка

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: SIR426DP-T1-GE3

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiation
Упаковывая детали: Картонная коробка.
Время доставки: 3-5 дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 1000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Тип FET: N-канал Технологии: MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 40 v Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 30A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): 4.5V, 10V Rds на (Макс) @ id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10В
Id Vgs (th) (Макс) @: 2.5V @ 250µA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: 31 nC @ 10 v
Vgs (Макс): ±20V Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds: 1160 pF @ 20 В
Высокий свет:

SIR426DP-T1-GE3

,

SIR426DP-T1-GE3 MOSFET

,

Поверхностные N-канальные MOSFET

Характер продукции

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs N-Channel 40 V 30A 4.8W 41.7W На поверхности установка PowerPAK®
 
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
 
Спецификации
SIR426DP-T1-GE3

 

Тип Описание
Категория Одиночные FET, MOSFET
Мфр Вишай Силиконикс
Серия TrenchFET®
Пакет Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Статус продукта Активный
Тип FET N-канал
Технологии MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss) 40 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) 4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.5В @ 250μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 20 В
Функция FET -
Рассеивание энергии (макс.) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика PowerPAK® SO-8
Пакет / чемодан PowerPAK® SO-8
Номер базовой продукции SIR426

 

ОсобенностиSIR426DP-T1-GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg и UIS проверены

 

 

ПрименениеSIR426DP-T1-GE3


• Конверторы постоянного тока и постоянного тока
- Синхронный Бак.
- Синхронный выпрямитель

 


Экологические и экспортные классификацииSIR426DP-T1-GE3

 
АТРИБУТ Описание
Статус RoHS Соответствует требованиям ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченный)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SIR426DP-T1-GE3 N-Channel MOSFETs 40 V 30A 4,8W 41,7W Поверхностная установка 0

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно SIR426DP-T1-GE3 N-Channel MOSFETs 40 V 30A 4,8W 41,7W Поверхностная установка не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.