 |
Чип датчика температуры FM25H20-DG Ic Fram 2 Мбит Spi 40 МГц 8dfn
Подробная информация о продукте:
| Место происхождения: | первоначальный |
| Фирменное наименование: | original |
| Сертификация: | original |
| Номер модели: | FM25H20-DG |
Оплата и доставка Условия:
| Количество мин заказа: | 1 |
|---|---|
| Цена: | negotiation |
| Упаковывая детали: | Коробка коробки |
| Время доставки: | дни 1-3working |
| Условия оплаты: | T/T, L/C |
| Поставка способности: | 100 000 |
|
Подробная информация |
|||
| упаковка: | Трубка | Состояние продукта: | Устарелый |
|---|---|---|---|
| Тип памяти: | Слаболетучий | Формат памяти: | FRAM |
| Технология: | FRAM (Ferroelectric RAM) | Размер запоминающего устройства: | 2Мбит |
| Организация памяти: | 256K x 8 | Интерфейс памяти: | SPI |
Характер продукции
Микросхема датчика температуры FM25H20-DG Ic Fram 2 Мбит Spi 40 МГц 8dfn
FRAM (Ferroelectric RAM) ИС памяти 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Технические характеристики FM25H20-ДГ
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Интегральные схемы (ИС) |
| Память | |
| Память | |
| производитель | Инфинеон Технологии |
| Ряд | F-RAM™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип памяти | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ФРАМ |
| Технологии | FRAM (ферроэлектрический RAM) |
| Объем памяти | 2Мбит |
| Организация памяти | 256К х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 40 МГц |
| Время цикла записи — Word, страница | - |
| Напряжение - питание | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (ТА) |
| Тип крепления | Поверхностное крепление |
| Пакет/кейс | Открытая площадка 8-WDFN |
| Пакет устройств поставщика | 8-ДФН (5х6) |
| Базовый номер продукта | FM25H20 |
ОсобенностиFM25H20-ДГ
■ 2-мегабитная ферроэлектрическая оперативная память (F-ОЗУ) логическиорганизован как 256 K × 8
- Высокая надежность 100 трлн (1014) операций чтения/записи
- Хранение данных в течение 151 года (см.иТаблица выносливости)
- NoDelay™ пишет
- Усовершенствованный высоконадежный ферроэлектрический процесс
■ Очень быстрый последовательный периферийный интерфейс (SPI)
- Частота до 40 МГц
-Прямая аппаратная замена последовательной флэш-памяти иЭСППЗУ
-Поддерживает режим SPI 0 (0, 0) и режим 3 (1, 1)
■ Сложная схема защиты от записи
-Аппаратная защита с помощью Write Protect (WP)приколоть
-Защита программного обеспечения с помощью Write Disableинструкция
-Защита программного блока для 1/4, 1/2 иливесь массив
■ Низкое энергопотребление
-Активный ток 1 мА на частоте 1 МГц
-80нА(тип.) ток в режиме ожидания
-3нАспящий режим ток
■ Работа при низком напряжении: VDD = от 2,7 В до 3,6 В.
■ Промышленная температура от –40 C до +85 C
■ Пакеты
-8-контактная интегральная схема малого размера (SOIC)упаковка
-8-контактный тонкий двойной плоский корпус без выводов (TDFN)
■ Ограничение использования опасных веществ (RoHS)совместимый
ПрименениеFM25H20-ДГ
FM25H20 — энергонезависимая память емкостью 2 Мбит, использующаяусовершенствованный сегнетоэлектрический процесс.Сегнетоэлектрический произвольный доступпамять или F-RAM энергонезависима и выполняет чтение и записьпохоже на ОЗУ.Обеспечивает надежное хранение данных в течение 151 года.при устранении сложностей, накладных расходов и системного уровняпроблемы с надежностью, вызванные последовательной флэш-памятью, EEPROM и другимиэнергонезависимая память.
Экологические и экспортные классификацииFM25H20-ДГ
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченно) |
| ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
Хотите узнать больше подробностей об этом продукте