• NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL СМАЧИВАЕМЫЙ
NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL СМАЧИВАЕМЫЙ

NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL СМАЧИВАЕМЫЙ

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: первоначальный
Фирменное наименование: original
Сертификация: original
Номер модели: NVMFWS015N10MCLT1G

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1
Цена: negotiable
Упаковывая детали: Коробка коробки
Время доставки: дни 1-3working
Условия оплаты: T/T, L/C
Поставка способности: 100 000
Лучшая цена контакт

Подробная информация

Состояние продукта: Активный Тип FET: N-канал
Технология: MOSFET (металлическая окись) Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 100 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 10.5A (животики), 54A (Tc) Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше): 4.5V, 10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V Id Vgs (th) (Макс) @: 3V @ 77µA
Выделить:

NVMFWS015N10MCLT1G

,

PTNG 100В LL NCH

,

100В LL NCH SO-8FL

Характер продукции

NVMFWS015N10MCLT1G Танталовый конденсатор Ptng 100v Ll Nch So-8fl Wettable

 

N-канальный 100 В 10,5 A (Ta), 54 A (Tc) 3 Вт (Ta), 79 Вт (Tc) Монтаж на поверхность 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

 

Технические характеристикиNVMFWS015N10MCLT1G

 

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Транзисторы
полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Статус продукта Активный
Тип полевого транзистора N-канал
Технологии МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 10,5 А (Та), 54 А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) 4,5 В, 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12,2 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id 3 В при 77 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 19 нКл при 10 В
VGS (макс.) ±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1338 пФ при 50 В
Полевой транзистор -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 79 Вт (Тс)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления Поверхностное крепление
Пакет устройств поставщика 5-ДФН (5х6) (8-СОФЛ)
Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 отведений

 

ОсобенностиNVMFWS015N10MCLT1G

 
• Малая площадь основания (5x6 мм) для компактного дизайна
• Низкий RDS(on) для минимизации потерь проводимости
• Низкая добротность и емкость для минимизации потерь драйвера
• NVMFWS015N10MCL — вариант смачиваемой боковой поверхности для улучшенного оптического контроля
 

Приложения изNVMFWS015N10MCLT1G

 
1. Вся среда приложения влияет на показанные значения теплового сопротивления.
и они не являются константами и действительны только для отмеченных конкретных условий.
2. Поверхностный монтаж на плате FR4 с использованием 650 мм2, 2 унции.Медная накладка.
3. Максимальный ток для импульсов длительностью до 1 секунды выше, но зависит от длительности импульса и коэффициента заполнения.
 

Экологические и экспортные классификацииNVMFWS015N10MCLT1G

 
АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99

 

NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL СМАЧИВАЕМЫЙ 0

 

Хотите узнать больше подробностей об этом продукте
Мне интересно NVMFWS015N10MCLT1G PTNG 100V LL NCH SO-8FL СМАЧИВАЕМЫЙ не могли бы вы прислать мне более подробную информацию, такую ​​как тип, размер, количество, материал и т. д.
Спасибо!
Жду твоего ответа.